今日,華為正式發(fā)表半導(dǎo)體領(lǐng)域新定律?!绊w定律”提出以“時(shí)間縮微”替代“幾何縮微”,晶體管密度與系統(tǒng)性能通過(guò)邏輯折疊技術(shù)實(shí)現(xiàn)新突破。這是中國(guó)在全球半導(dǎo)體領(lǐng)域首次提出指導(dǎo)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的新原則。預(yù)計(jì)到2031年,基于該定律的高端芯片晶體管密度將達(dá)到1.4納米制程的同等水平。

今日,華為正式發(fā)表半導(dǎo)體領(lǐng)域新定律?!绊w定律”提出以“時(shí)間縮微”替代“幾何縮微”,晶體管密度與系統(tǒng)性能通過(guò)邏輯折疊技術(shù)實(shí)現(xiàn)新突破。這是中國(guó)在全球半導(dǎo)體領(lǐng)域首次提出指導(dǎo)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的新原則。預(yù)計(jì)到2031年,基于該定律的高端芯片晶體管密度將達(dá)到1.4納米制程的同等水平。
